目前在絕緣柵型場效應管中，應用最為廣泛的是MOS場效應管，簡稱MOS管（即金屬-氧化物-半導體場效應管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應管等。
開關電源由高頻磁芯、高頻電容、高反壓大功率晶體管、功率整流二極管及控制電路等主要部件構成。其中，整流二極管為關鍵部件，因為其功耗最大，約占電源功耗的30%。
為了獲得最大的輸出功率,在正常工作中,逆變器的工作頻率應近于并聯諧振電路的固有振蕩頻率。
氮化鋁陶瓷基板的設計是IGBT模塊結構設計中的一環，陶瓷基板設計的優劣將會影響到模塊的電氣特性，所以想要很好的完成IGBT的設計，就需要遵循氮化鋁陶瓷基板的一些原則。
電子元件的插入應整齊、美觀、穩定。同時應便于焊接，并有利于構件焊接時的散熱。本文將總結組件插入的相關知識。如果您對本文的內容感興趣
通常，額定電流超過1安培的半導體器件稱為功率半導體。它們阻斷電壓范圍從幾伏一直到上萬伏。在眾多的功率半導體器件中，功率二極管是相對簡單的一種器件，但它同時也是在電力電于電路中應用最為廣泛的一種常用基礎器件。