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| 產品特性 |
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精確的只測量晶片厚度 |
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| 關于本產品的詳細內容，請使用右上方的圖標下載目錄后確認。 | |
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| SI-F80R 系列使用近紅外 SLD，可穿過硅、砷化鎵、碳化硅、磷化銦、非晶硅及其它半導體。即使晶片已封上 BG（背磨）膠帶，也可精確測出晶片厚度。 |
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同類中最高的規格 |
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幾乎不受晶片圖案的影響 |
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| 通過減小光點直徑和光點內的表面相差，可最大限度的減少晶片表面圖案的變化和測量警報的發生次數。 |
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之前的所有問題迎刃而解 |
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| [傳統方式] 接觸式測量 |
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使用兩個傳感器一上一下不接觸晶片進行測量 |
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| • 測量時可能會損壞晶片。 • 傳感器將測量包括 BG 膠帶在內的高度，一旦膠帶厚度發生變化，整個結果就會出現誤差。 |
• 很難在一條直線上對齊兩個傳感器的光軸。 • 傳感器將測量包括 BG 膠帶在內的厚度，一旦膠帶厚度發生變化，整個結果就會出現誤差。 |
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| 緊靠生產線進行簡單精確的測量 | |
在生產線中持續監控 | |
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| • 只需將傳感器放在距離晶片 80 mm 的位置，即可輕松進行測量。 • 不接觸晶片，避免晶片損傷。 • 傳感器可直接只測量晶片厚度，因此測量不受 BG 膠帶的影響。 |
• 小巧的傳感頭可安裝在距離晶片 80 mm 的位置，因此可在拋光的同時在設備內部持續監控晶片厚度。 | ||
相關產品請下載：
http://www.dream-chase.com/company/datum/2013091615505600001.htm
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